Samsung анонсировала начало массового производства 12-гигабитной оперативной памяти LPDDR4 по 20-нм техпроцессу. По сравнению с 8-гигабитной ОЗУ, новинка на 30% быстрее и на 20% энергоэффективнее. На базе новых модулей Samsung будет создавать 3-ГБ и 6-ГБ модули оперативной памяти для смартфонов, собирая в один чип по 2 и 4 плашки соответственно. Компания отмечает, что 6 ГБ 12-гигабитной RAM занимает столько же места в корпусе, что и 3 ГБ применяемой сейчас менее компактной LPDDR4. Утверждается, что 6 ГБ ОЗУ будет уже "во флагманских устройствах следующего поколения".
© Илья Нерыбов. Mobiltelefon
По материалам Samsung
АВТОР: Илья Нерыбов