Компания Samsung объявляет о старте массового производства 4-Гбит чипов мобильной памяти DDR3, главной особенностью которых стало низкое энергопотребление благодаря 20-нм технопроцессу. По словам компании, при изготовлении такого чипа используются новейшие технологии двойного шаблона и атомно-слоеного осаждения, что в будущем позволит перейти на DRAM-память класса 10 нм.
Кроме того, корейцы хвастаются энергоэффективностью производства, которая на 30% выше, чем DDR3 по 25-нм технопроцессу, и вдвое больше, чем DDR3 по 30-нм. Новая память может быть применена в следующем флагмане Galaxy Note 4, или же в версии Galaxy S5 с чипсетом Exynos, слухи о котором продолжают бродить по Сети.
- © Артур Лучкин. Mobiltelefon
- Samsung Galaxy Core Advanced – лучший смартфон для слабовидящих;
- Российская презентация Samsung Galaxy S5 пройдет 25 марта;
- Samsung опровергает свою причастность к «сургутскому скандалу»;
- Samsung Galaxy Note 3 подвёл Леброна Джеймса;
- Samsung Galaxy S5 выйдет в коричневом и розовом в Японии;
- Samsung запатентовала смартфон-кинотеатр.
По материалам Samsung
АВТОР: Артем Зорянов