30 нм 64 Гбит NAND чип флэш-памяти.


Samsung Electronics объявили о разработке нового чипа флэш-памяти, позволяющего серьезно увеличить хранимый объем информации.



Лидер производства чипов памяти объявил о разработке новой модели 64-гигабитного NAND чипа флэш-памяти, с использованием элементов тридцати нанометров в ширину. Для сравнения: ширина человеческого волоса может достигать 80 000 нанометров, а большинство чипов, производимых компанией сейчас, базируются на 50 нм. технологии.



Разработка подобных чипов крайне важна в условиях все возрастающих требований к объемам памяти портативных устройств, и Samsung не отстает от времени. По заявлению компании, данный чип стал первым в своем роде и отметил восьмой год подряд, в течении которого вместительность флэш-памяти удваивается. Также с новой разработкой Samsung празднует седьмой год постоянного улучшения производственного процесса, позволяющего уменьшать размеры чипов, выполненных по технологии NAND.



Запуск новинки в производство планируется уже в 2009 году.











АВТОР: Лайдж Ки