На пресс-конференции в Шэньчжене Samsung анонсиовала свой самый продвинутый модуль мобильной оперативной памяи. DRAM-чип, использующий технологию LPDDR4, выполнен по техпроцессу 10 нм и имеет объём 6 ГБ. Это первый в ассортименте компании 6-ГБ чип оперативной памяти (нынешние смартфоны с таким количеством ОЗУ используют по четыре модуля ёмкостью 1,5 ГБ – такое решение Samsung анонсировала ещё в прошлом году). Скорее всего, новинка будет использована Samsung в её грядущем флагманском фаблете Samsung Galaxy Note 6. По слухам, он также получит 5,8" Quad HD-экран, 256 ГБ встроенной памяти, процессор Qualcomm Snapdragon 823 и аккумулятор ёмкостью 4000 мАч.
© Илья Нерыбов. Mobiltelefon
По материалам thenextrex.com
АВТОР: Илья Нерыбов